SiC功率器件测试设备

SiC功率器件测试设备优势
  高电压、大电流
  具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(大可扩展至10kV)
  具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)
  高精度测量
  nA级漏电流, μΩ级导通电阻
  0.1%精度测量
  模块化配置
  可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元
  测试效率高
  内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元
  支持国标全指标的一键测试
  扩展性好
  支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
普赛斯SiC功率器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；